RB160M-90

更新时间： 2024-11-20 21:54:59

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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描述
Schottky barrier diode

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RB160M-90 数据手册

RB160M-90

Diodes

Schottky barrier diode

RB160M-90

zApplications

z External dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

0.15±0.03

General rectification

1.6±0.1

1.2

zFeatures

0～0.1

1) Small power mold type. (PMDU)

2) Low I_R

0.9±0.1

3) High reliability.

0.8±0.1

PMDU

zStructure

zConstruction

Silicon epitaxial planar

ROHM : PMDU

JEDEC : SOD-123

①

Manufacture Date

製造年月

z Taping specifications (Unit : mm)

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ 0.05

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.81±0.05

1.05±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltagec(DC)

Limits

Symbol

Unit

V_RM

V_R

Average rectified forward current

Forward current surge peak 60Hz 1cyc

）

I_FSM

（

・

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

-40 to +150

Tstg

Mounted on epoxy board. 180 Harf sine wave

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.73

100

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=1.0A

V_R=90V

µA

1/3

12 3 4

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