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RB160MM-40

更新时间： 2024-11-22 01:15:51

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罗姆 - ROHM		光电二极管
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9页	665K
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Schottky Barrier Diode

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RB160MM-40 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	PMDU, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.73	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB160MM-40 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB160MM-40

Data Sheet

lApplication

lDimensions (Unit : mm)

lLand Size Figure (Unit : mm)

General rectification

0.1

1.2

0.1±

0.05

1.6±0.1

lFeatures

1) Small power mold type

(PMDU)

PMDU

Cathode

0.9±0.1

0.8±0.1

lStructure

2) High reliability

ROHM : PMDU

JEDEC : SOD-123FL

Low V_F

: Manufacture Date

Anode

lConstruction

lTaping Dimensions (Unit : mm)

Silicon epitaxial planar type

0.25±0.05

φ 1.55±0.05

f1.550.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ 1.0±0.1

f1.00.1

1.81±0.1

1.5MAX

lAbsolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Direct Reverse Voltage

60Hz half sin Wave

Average Forward Rectified Current

Non-repetitive Forward Current Surge Peak

60Hz half sin wave ,Non-repetitive at T_a=25°C

I_FSM

T_j

150

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_stg

-40 to +150 °C

lElectrical Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward Voltage

Conditions

I_F=1.0A

Symbol

V_F1

Min. Typ. Max. Unit

0.46 0.51

4.0 30

V_R=40V

Reverse Current

I_R

www.rohm.com

2016.05 - Rev.D

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