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RB160M-90_2

更新时间： 2024-10-02 06:07:07

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky barrier diode

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RB160M-90_2 数据手册

RB160M-90

Diodes

Schottky barrier diode

RB160M-90

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

㪇㪅㪈㫧㪇㪅㪈

䇭䇭䇭㩷㪇㪅㪇㪌

General rectification

㪈㪅㪍㫧㪇㪅㪈

㪈㪅㪉

zFeatures

1) Small power mold type. (PMDU)

2) Low I_R

3) High reliability.

㪧㪤㪛㪬

zStructure

zConstruction

㪇㪅㪐㫧㪇㪅㪈

Silicon epitaxial planar

㪇㪅㪏㫧㪇㪅㪈

㪩㪦㪟㪤㩷㪑㩷㪧㪤㪛㪬

㪡㪜㪛㪜㪚㩷㪑㪪㪦㪛㪄㪈㪉㪊

㪤㪸㫅㫌㪽㪸㪺㫋㫌㫉㪼㩷㪛㪸㫋㪼

z Taping specifications (Unit : mm)

㪇㪅㪉㪌㫧㪇㪅㪇㪌

㱢㪈㪅㪌㪌㫧㪇㪅㪇㪌

㪉㪅㪇㫧㪇㪅㪇㪌

㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈

㱢㪈㪅㪇㫧㪇㪅㪈

㪈㪅㪏㪈㫧㪇㪅㪈

㪈㪅㪌㪤㪘㪯

zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltagec(DC)

Limits

Symbol

Unit

V_RM

V_R

Average rectified forward current

Forward current surge peak 60Hz 1cyc

䋩

I_FSM

䋨

䊶

Junction temperature

Storage temperature

150

㷄

-40 to +150

Tstg

Mounted on epoxy board. 180 Harf sine wave

zElectrical characteristics (Ta=25qC)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.73

100

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=1.0A

V_R=90V

μA

Rev.C

1/3

12 3 4

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