RB160M-40TR

更新时间： 2024-01-26 09:19:23

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	342K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB160M-40TR 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB160M-40

Applications

General rectification

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

1.2

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

1.6±0.1

Features

1)Small power mold type.（PMDU）

2)Low IR

3)High reliability

PMDU

Construction

Silicon epitaxial

Structure

0.9±0.1

0.8±0.1

ROHM : PMDU

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

Taping specifications(Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

I_FSM

150

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

Electrical characteristic(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

0.46

4.0

Max.

0.51

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

I_F=1.0A

V_R=40V

μA

www.rohm.com

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2011.04 - Rev.E

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