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RB160M30

更新时间: 2024-11-21 20:10:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 946K
描述
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, PMDU, 2 PIN

RB160M30 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.56其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB160M30 数据手册

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Data Sheet  
Schottky barrier diode  
RB160M-30  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
General rectification  
0.1±0.1  
ꢀꢀꢀ 0.05  
1.6±0.1  
1.2  
Features  
1) Small power mold type. (PMDU)  
2) Low IR.  
3) High reliability  
Construction  
PMDU  
Silicon epitaxial planer  
Structure  
0.9±0.1  
0.8±0.1  
ROHM : PMDU  
JEDEC :SOD-123  
Manufacture Date  
Taping specifications (Unit : mm)  
0.25±0.05  
φ1.55±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
4.0±0.1  
φ1.0±0.1  
1.81±0.1  
1.5MAX  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
30  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
30  
V
1
30  
Average rectified forward current  
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)  
Junction temperature  
Io  
A
IFSM  
Tj  
A
125  
C  
C  
Storage temperature  
40 to 125  
Tstg  
(*1)Mounted on epoxy board. 180° Half sine wave  
Electrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
VF1  
Min.  
Typ.  
0.39  
0.43  
3.0  
Max.  
0.46  
0.48  
20  
Unit  
V
-
-
-
-
IF=0.5A  
Forward voltage  
Reverse current  
VF2  
V
IF=1.0A  
VR=15V  
VR=30V  
IR1  
A  
A  
IR2  
50  
9.0  
www.rohm.com  
2011.04 - Rev.C  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
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