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RB160M30

更新时间： 2024-09-29 20:10:11

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	946K
描述
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, PMDU, 2 PIN

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RB160M30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

RB160M30 数据手册

Data Sheet

Schottky barrier diode

RB160M-30

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

1.6±0.1

1.2

Features

1) Small power mold type. (PMDU)

2) Low I_R.

3) High reliability

Construction

PMDU

Silicon epitaxial planer

Structure

0.9±0.1

0.8±0.1

ROHM : PMDU

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

Taping specifications (Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)

Junction temperature

I_FSM

125

C

Storage temperature

40 to 125

Tstg

(*1)Mounted on epoxy board. 180° Half sine wave

Electrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

0.39

0.43

3.0

Max.

0.46

0.48

Unit

I_F=0.5A

Forward voltage

Reverse current

V_F2

I_F=1.0A

V_R=15V

V_R=30V

I_R1

A

I_R2

9.0

www.rohm.com

2011.04 - Rev.C

1/3

12 3 4

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