RB070M-30

更新时间： 2024-09-15 21:55:27

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罗姆 - ROHM		二极管光电二极管
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描述
Schottky barrier diode (Silicon Epitaxial Planer)

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RB070M-30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e1	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

RB070M-30 数据手册

RB070M-30

Diodes

Schottky barrier diode

(Silicon Epitaxial Planer)

RB070M-30

zApplications

General rectification

(Common cathode dual chip)

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure

0.15±0.03

1.6±0.1

1.2

0～0.1

zFeatures

1) Small power mold type.

(PMDU)

0.9±0.1

0.8±0.1

PMDU

2) Low IR

3) High reliability

zStructure

ROHM : PMDU

JEDEC : SOD-123

^M製^anu造^fac年^tur月^{e Date}

①

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ 0.05

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.81±0.05

1.05±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Symbol

Limits

Unit

VRM

∗

Average rectified forward current

1.5

Forward current surge peak (60Hz 1cyc.)

Junction temperature

FSM

150

°C

Storage temperature

Tstg

−40 to 150

∗ Glass epoxy substrate at the time of assembler, half sine wave at 180°.

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

−

Typ.

0.37

0.44

Max.

Conditions

Unit

0.43

0.49

=0.5A

=1.5A

=30V

−

µA

∗Please pay attention to static electricity when handling.

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