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RB070M-30_11

更新时间： 2024-09-16 12:20:27

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罗姆 - ROHM		二极管
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4页	976K
描述
Shottky barrier diode

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RB070M-30_11 数据手册

Data Sheet

Shottky barrier diode

RB070M-30

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

(Common cathode dual chip)

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

1.6±0.1

1.2

Features

1) Small power mold type.

(PMDU)

2) Low IR

3) High reliability

PMDU

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

0.9±0.1

0.8±0.1

ROHM : PMDU

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

Taping specifications(Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_R

1.5

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

0.37

0.44

9.0

Max.

0.43

0.49

Unit

Conditions

I_F=0.5A

I_F=1.5A

V_R=30V

Forward voltage

V_F2

I_R

Reverse current

μA

www.rohm.com

1/3

2011.04 - Rev.B

12 3 4

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