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RB056L-40

更新时间: 2024-11-23 06:07:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 323K
描述
Schottky Barrier Diode

RB056L-40 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.71Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e1最大非重复峰值正向电流:70 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RB056L-40 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
RB056L-40  
Applications  
Dimensions(Unit : mm)  
Land size figure(Unit : mm)  
General rectification  
2.0  
Features  
1)Small power mold type.(PMDS)  
2)Low IR  
3)High reliability  
PMDS  
Construction  
Silicon epitaxial planer  
Structure  
Taping specifications(Unit : mm)  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3  
φ1.55±0.05  
φ1.55  
2.9±0.1  
4.0±0.1  
2.8MAX  
Absolute maximum ratings(Ta=25C)  
Parameter  
Limits  
40  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
40  
V
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)  
Junction temperature  
3
Io  
A
70  
IFSM  
Tj  
A
150  
C  
C  
Storage temperature  
-40to+150  
Tstg  
(*1)Mounting on epoxi board. (Tc=63CMAX.)  
Electrical characteristics(Ta=25)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
VF1  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.67  
0.58  
50  
Unit  
V
-
-
-
-
-
-
IF=3.0A  
IF=2.0A  
VR=40V  
Forward voltage  
Reverse current  
VF2  
V
IR  
A  
www.rohm.com  
©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2010.02 - Rev.A  
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