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RB051M-2Y

更新时间： 2024-11-23 06:07:07

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	330K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB051M-2Y 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e1
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	20 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB051M-2Y 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB051M-2Y

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

Applications

General rectification

1.2

Features

1)Small power mold type.（PMDU）

2)Ultra Low V_F

3)High reliability

PMDU

Construction

Silicon epitaxial planer

Structure

Taping specifications(Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Average rectified forward current(*1)

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

I_FSM

125

C

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

(*1)Mounting on alumina board. Tc=95CꢀMax.

Electrical characteristics(Ta=25C)

Parameter

Conditions

I_F=3A

V_R=20V

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.46

0.9

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

www.rohm.com

2010.01 - Rev.A

1/3

12 3 4

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