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RB051M-2Y_11

更新时间： 2024-11-23 09:38:03

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	261K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB051M-2Y_11 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB051M-2Y

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

Applications

General rectification

1.2

Features

1)Small power mold type.（PMDU）

2)Ultra Low V_F

3)High reliability

PMDU

Construction

Silicon epitaxial planer

Structure

Taping specifications(Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Average rectified forward current(*1)

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

I_FSM

125

C

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

(*1)Mounting on alumina board. Tc=95CꢀMax.

Electrical characteristics(Ta=25C)

Parameter

Conditions

I_F=3A

V_R=20V

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.46

0.9

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

www.rohm.com

2011.05 - Rev.C

1/3

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