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RB051M-2YTR

更新时间: 2024-11-23 12:36:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 169K
描述
Schottky Barrier Diode

RB051M-2YTR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not RecommendedReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:7.9配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.46 V
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
最大输出电流:3 A最大重复峰值反向电压:20 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKYBase Number Matches:1

RB051M-2YTR 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
RB051M-2Y  
Dimensions(Unit : mm)  
Land size figure(Unit : mm)  
Applications  
General rectification  
1.2  
Features  
1)Small power mold type.PMDU)  
2)Ultra Low VF  
3)High reliability  
PMDU  
Construction  
Silicon epitaxial planer  
Structure  
Taping specifications(Unit : mm)  
0.25±0.05  
φ1.55±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
4.0±0.1  
φ1.0±0.1  
1.81±0.1  
1.5MAX  
Absolute maximum ratings(Ta=25C)  
Parameter  
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
20  
20  
V
Average rectified forward current(*1)  
Forward current surge peak 60Hz1cyc)  
Junction temperature  
3
30  
Io  
A
IFSM  
Tj  
A
125  
C  
C  
Storage temperature  
-40 to +125  
Tstg  
(*1)Mounting on alumina board. Tc=95CMax.  
Electrical characteristics(Ta=25C)  
Parameter  
Conditions  
IF=3A  
VR=20V  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.46  
0.9  
Unit  
V
VF  
IR  
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
-
mA  
www.rohm.com  
©2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2011.05 - Rev.C  
1/3  

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