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RB056L-40_1008

更新时间： 2024-02-18 05:34:53

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	318K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB056L-40_1008 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB056L-40

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

General rectification

2.0

Features

1)Small power mold type.(PMDS)

2)Low I_R

3)High reliability

PMDS

Construction

Silicon epitaxial planer

Structure

Taping specifications(Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

C

Storage temperature

-40to+150

Tstg

(*1)Mounting on epoxi board. (Tc=63CMAX.)

Electrical characteristics(Ta=25℃)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.67

0.58

Unit

I_F=3.0A

I_F=2.0A

V_R=40V

Forward voltage

Reverse current

V_F2

I_R

A

www.rohm.com

2010.08 - Rev.B

1/3

12 3 4

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