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RB058L-60

更新时间： 2024-02-24 02:53:14

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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5页	610K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB058L-60 数据手册

RB058L-60

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB058L-60

lApplications

General rectification

lExternal Dimensions(Unit : mm)

lLand Size Figure(Unit : mm)

2.0

2.6±0.2

lFeatures

1)Small power mold type.(PMDS)

2)High reliability

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

3)AEC-Q101 qualified

PMDS

2.0±0.2

1.5±0.2

lConstruction

Silicon epitaxial

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

lStructure

Manufacture Date

lTaping Dimensions(Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ 1.55±0.05

φ 1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

lAbsolute Maximum Ratings(Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

Unit

V_R

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

(*1)Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave

lElectrical Characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=3.0A

V_R=60V

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.64

4.0

Unit

V_F

I_R

Reverse current

www.rohm.com

1/4

2012.08 - Rev.A

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