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RB058L150

更新时间： 2024-01-31 00:46:56
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 369K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, PMDS, 2 PIN

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RB058L150 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：90 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向电流：3 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RB058L150 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
RB058L150  
Datasheet  
lApplication  
lDimensions (Unit : mm)  
lLand size figure (Unit : mm)  
General rectification  
2.0  
2.6±0.2  
lFeatures  
9
8
1) Small power mold type. (PMDS)  
0.1±0.02  
ꢀꢀꢀ 0.1  
1
2
Ultra low IR  
2)  
PMD2  
2.0±0.2  
1.5±0.2  
3) High reliability  
lStructure  
cathode  
4) AEC-Q101 qualified  
(Limited to HR type)  
ROHM : PMDS  
JEDEC :SOD-106  
1
2
Manufacture Date  
anode  
lConstruction  
lTaping specifications (Unit : mm)  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3  
1.55 0.05  
Silicon epitaxial planar  
1.55  
2.9±0.1  
4.0±0.1  
2.8MAX  
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
Unit  
V
VRM  
VR  
150  
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
150  
V
3
50  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz・1cyc)  
Junction temperature  
Io  
A
IFSM  
Tj  
A
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
-55 to +150  
(*1) Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave  
lElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Conditions  
IF=3.0A  
VR=150V  
Symbol Min. Typ. Max.  
Unit  
V
VF  
IR  
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
-
0.85  
3.0  
mA  
www.rohm.com  
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2013.07 - Rev.A  
1/6  
1234567

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