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RA03M3540MD-101

更新时间： 2024-09-16 02:52:19

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		放大器射频便携式无线
页数	文件大小	规格书
7页	231K
描述
RF MOSFET MODULE 350-400MHz 38dBm 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO

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RA03M3540MD-101 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLNG,1.0"H.SPACE
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
特性阻抗：	50 Ω	构造：	MODULE
增益：		最大输入功率 (CW)：	20 dBm
功能数量：	1	最大工作频率：	400 MHz
最小工作频率：	350 MHz	最高工作温度：	90 °C
最低工作温度：	-30 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	FLNG,1.0"H.SPACE	电源：	7.2 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
技术：	HYBRID	最大电压驻波比：	4.4
Base Number Matches：	1

RA03M3540MD-101 数据手册

MITSUBISHI RF MOSFET MODULE

ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

RA03M3540MD

RoHS Compliance , 350-400MHz 38dBm 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO

DESCRIPTION

BLOCK DIAGRAM

The RA03M3540MD is a 38 dBm output RF MOSFET

Amplifier Module for 7.2 volt portable radios that operate in the

350 to 400 MHz range.

FEATURES

• Enhancement-Mode MOSFET Transistors

(I_DD≅0 @ V_DD=7.2V, V_GG=0V)

RF Input (P )

• P_out>38dBm @ V_DD=7.2V, P_in=19dBm

2 FIRST STAGE GATE BIAS DC SUPPLY TERMINAL（Vgg1）

Idq1=20mA(Vgg1adjust.),Idq2=1A(Vgg2 adjust.)

3 FINAL STAGE GATE BIAS DC SUPPLY TERMINAL（Vgg2）

4 Drain Voltage (V_DD), Battery

• η_T>35%

@ V_DD=7.2V, P_out=38dBm (Pin adjust.),

Idq1=20mA(Vgg1 adjust.),Idq2=1A(Vgg2 adjust.)

• IMD3<-25dBc @ V_DD=7.2V, P_out(average) =35dBm (Pin adjust.)

Two tone test at 1KHz separation

5 RF Output (P_out)

6 RF Ground (Case)

PACKAGE CODE: H46S

Idq1=20mA(Vgg1 adjust.),Idq2=1A(Vgg2 adjust.)

• Broadband Frequency Range: 350-400MHz

• Low-Power Adjust. Current I_GG=1mA (typ) at V_GG=3.5V

• Module Size: 30 x 10 x 5.4 mm

RoHS COMPLIANT

• RA03M3540MD-101 is a RoHS compliant products.

• RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the Lot Marking.

• This product include the lead in the Glass of electronic parts and the

lead in electronic Ceramic parts.

How ever ,it applicable to the following exceptions of RoHS Directions.

1.Lead in the Glass of a cathode-ray tube, electronic parts, and

fluorescent tubes.

2.Lead in electronic Ceramic parts.

ORDERING INFORMATION:

ORDER NUMBER

SUPPLY FORM

Antistatic tray,

25 modules/tray

RA03M3540MD-101

RA03M3540MD

31 Jan 2007

MITSUBISHI ELECTRIC

1/7

12 3 4 5 6 7

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RA03M3540MD-101 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RA07M1317M-101	MITSUBISHI	功能相似	RoHS Compliance , 135-175MHz 6.5W 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
RA03M4043MD-101	MITSUBISHI	功能相似	RF MOSFET MODULE 400-430MHz 38dBm 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
RA07M4047M	MITSUBISHI	功能相似	400-470MHz 7W 7.2V PORTABLE RADIO

与RA03M3540MD-101相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RA03M4043MD	MITSUBISHI	获取价格	RF MOSFET MODULE 400-430MHz 38dBm 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
RA03M4043MD_10	MITSUBISHI	获取价格	RoHS Compliance , 400-430MHz 38dBm 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
RA03M4043MD-101	MITSUBISHI	获取价格	RF MOSFET MODULE 400-430MHz 38dBm 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
RA03M4547MD	MITSUBISHI	获取价格	RF MOSFET MODULE 450-470MHz 38dBm 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
RA03M4547MD_10	MITSUBISHI	获取价格	RoHS Compliance , 450-470MHz 38dBm 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
RA03M4547MD-101	MITSUBISHI	获取价格	RF MOSFET MODULE 450-470MHz 38dBm 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
RA03M8087M	MITSUBISHI	获取价格	SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER
RA03M8087M_06	MITSUBISHI	获取价格	RoHS Compliance , 806-870MHz 3.6W 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
RA03M8087M_10	MITSUBISHI	获取价格	806-870MHz 3.6W 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
RA03M8087M-01	MITSUBISHI	获取价格	Narrow Band High Power Amplifier, 806MHz Min, 870MHz Max, 30 X 10 MM, 5.40 MM HEIGHT, MODU

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