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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 34.8 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R6504KND3 | ROHM |
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R6xxxKNx系列是重视高效性，以高速开关性能为特点的Super Junction MO |
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| R6504KNJ | ROHM |
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R6504KNJ是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 |
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| R6504KNX | ROHM |
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R6504KNX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 |
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| R6505-00 | HARWIN |
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SELF LOCKING SPACER |
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| R6505AP | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 2MHz, NMOS, PDIP28, DIP-28 |
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| R6505APE | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 2MHz, NMOS, PDIP28, DIP-28 |
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| R6505C | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 1MHz, NMOS, CDIP28, DIP-28 |
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| R6505CE | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 1MHz, NMOS, CDIP28, DIP-28 |
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| R6506AC | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 2MHz, NMOS, CDIP28, DIP-28 |
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| R6506ACE | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 2MHz, NMOS, CDIP28, DIP-28 |
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