是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.64 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 34.8 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 650 V |
最大漏极电流 (ID): | 4 A | 最大漏源导通电阻: | 1.05 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
R6504KND3 | ROHM |
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R6xxxKNx系列是重视高效性,以高速开关性能为特点的Super Junction MO | |
R6504KNJ | ROHM |
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R6504KNJ是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 | |
R6504KNX | ROHM |
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R6504KNX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 | |
R6505-00 | HARWIN |
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SELF LOCKING SPACER | |
R6505AP | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 2MHz, NMOS, PDIP28, DIP-28 | |
R6505APE | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 2MHz, NMOS, PDIP28, DIP-28 | |
R6505C | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 1MHz, NMOS, CDIP28, DIP-28 | |
R6505CE | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 1MHz, NMOS, CDIP28, DIP-28 | |
R6506AC | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 2MHz, NMOS, CDIP28, DIP-28 | |
R6506ACE | ROCKWELL |
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Microprocessor, 8-Bit, 2MHz, NMOS, CDIP28, DIP-28 |