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R6507ENJ

更新时间: 2023-09-03 20:25:16
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罗姆 - ROHM 开关
页数 文件大小 规格书
14页 1428K
描述
R6507ENJ是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。

R6507ENJ 数据手册

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R6507ENJ  
ꢀꢀNch 650V 7A Power MOSFET  
Datasheet  
ꢀꢀ  
llOutline  
LPT(S)  
VDSS  
650V  
0.665Ω  
±7A  
RDS(on)(Max.)  
ID  
PD  
78W  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
llFeatures  
llInner circuit  
1) Low on-resistance  
2) Fast switching speed  
3) Parallel use is easy  
4) Pb-free plating ; RoHS compliant  
llApplication  
llPackaging specifications  
Switching  
Packing  
Embossed Tape  
TL  
Packing code  
Marking  
R6507ENJ  
1000  
Quantity (pcs)  
llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)  
a
Parameter  
Drain - Source voltage  
Symbol  
Value  
650  
Unit  
V
VDSS  
*1  
Continuous drain current (Tc = 25°C)  
Pulsed drain current  
ID  
±7  
A
*2  
IDP  
±21  
A
static  
±20  
V
VGSS  
IAS  
Gate - Source voltage  
AC(f1Hz)  
±30  
V
Avalanche current, single pulse  
Avalanche energy, single pulse  
Power dissipation (Tc = 25°C)  
Junction temperature  
1.3  
A
*3  
EAS  
136  
mJ  
W
PD  
Tj  
78  
150  
Tstg  
Operating junction and storage temperature range  
-55 to +150  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
© 2019 ROHMCo., Ltd. All rights reserved.  
ꢀ ꢀ  
1/11  
20190527 - Rev.003  

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