5秒后页面跳转
R6507ENX PDF预览

R6507ENX

更新时间: 2023-09-03 20:33:49
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关
页数 文件大小 规格书
15页 1890K
描述
R6507ENX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。

R6507ENX 数据手册

 浏览型号R6507ENX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号R6507ENX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号R6507ENX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号R6507ENX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号R6507ENX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号R6507ENX的Datasheet PDF文件第7页 
R6507ENX  
ꢀꢀNch 650V 7A Power MOSFET  
Datasheet  
ꢀꢀ  
llOutline  
VDSS  
650V  
0.665Ω  
±7A  
RDS(on)(Max.)  
TO-220FM  
ID  
PD  
46W  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
llInner circuit  
llFeatures  
1) Low on-resistance  
2) Fast switching  
3) Parallel use is easy  
4) Pb-free plating ; RoHS compliant  
llPackaging specifications  
Code  
Packing  
Tube  
C7 G  
C7  
llApplication  
Tube*  
Bulk*  
Switching  
- (Blank)  
*Package dimensions are different  
llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)  
a
Parameter  
Drain - Source voltage  
Symbol  
Value  
650  
Unit  
V
VDSS  
*1  
ID  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
±7  
A
*2  
IDP  
±21  
A
static  
±20  
V
VGSS  
IAS  
Gate - Source voltage  
AC(f1Hz)  
±30  
V
Avalanche current, single pulse  
Avalanche energy, single pulse  
Power dissipation (Tc = 25°C)  
1.3  
A
*3  
EAS  
136  
mJ  
W
PD  
Tj  
46  
Junction temperature  
150  
Tstg  
Operating junction and storage temperature range  
-55 to +150  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
© 2019 ROHMCo., Ltd. All rights reserved.  
ꢀ ꢀ  
1/12  
20200203 - Rev.004  

与R6507ENX相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
R6507KND3 ROHM R6xxxKNx系列是重视高效性,以高速开关性能为特点的Super Junction MO

获取价格

R6507KNJ ROHM R6507KNJ是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。

获取价格

R6507KNX ROHM R6xxxKNx系列是重视高效性,以高速开关性能为特点的Super Junction MO

获取价格

R6507P ROCKWELL Microprocessor, 8-Bit, 1MHz, NMOS, PDIP28, DIP-28

获取价格

R6507PE ROCKWELL Microprocessor, 8-Bit, 1MHz, NMOS, PDIP28, DIP-28

获取价格

R6509END3 ROHM R6xxxENx系列是重视易用性,以低噪声性能为特点的Super Junction MOS

获取价格