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R6507END3

更新时间： 2023-09-03 20:28:54

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罗姆 - ROHM		/
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14页	2224K
描述
R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在音响和照明等需要尽可能抑制噪声的应用中实现更优异的性能。

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R6507END3

Datasheet

Nch 650V 7A Power MOSFET

llOutline

TO-252

V_DSS

650V

0.665Ω

±7A

R_DS(on)(Max.)

I_D

P_D

78W

llFeatures

llInner circuit

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Parallel use is easy

4) Pb-free plating ; RoHS compliant

llApplication

llPackaging specifications

Switching

Packing

Embossed Tape

TL1

Packing code

Marking

R6507E

2500

Quantity (pcs)

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

Value

650

Unit

V_DSS

Continuous drain current (T_c= 25°C)

Pulsed drain current

I_D

±7

I_DP

±21

static

±20

V_GSS

Gate - Source voltage

AC(f＞1Hz)

±30

I_AS

Avalanche current, single pulse

Avalanche energy, single pulse

Power dissipation (T_c= 25°C)

Junction temperature

1.3

E_AS

136

℃

P_D

T_j

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

www.rohm.com

1/11

20201030 - Rev.002

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