5秒后页面跳转
R3660 PDF预览

R3660

更新时间: 2024-09-13 22:24:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 115K
描述
Silicon Power Rectifier

R3660 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DO-5
包装说明:METAL, DO-5, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.71
其他特性:EXCELLENT RELIABILITY应用:POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 VJEDEC-95代码:DO-203AB
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:1200 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:70 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:50 µA
最大反向恢复时间:5 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

R3660 数据手册

 浏览型号R3660的Datasheet PDF文件第2页浏览型号R3660的Datasheet PDF文件第3页 

R3660 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
R30660 MICROSEMI

功能相似

Silicon Power Rectifier
R3560 MICROSEMI

功能相似

Silicon Power Rectifier

与R3660相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R36720000 ETC

获取价格

"JACK SOCKET 1/4"" PCB 3P"
R3680 MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier
R3680E3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P
R3685025J00 VISHAY

获取价格

CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 25V, 6.8uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R3685025K00 VISHAY

获取价格

CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 25V, 6.8uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R3685025M00 VISHAY

获取价格

CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 25V, 6.8uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R3685035J00 VISHAY

获取价格

CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 35V, 6.8uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R3685035K00 VISHAY

获取价格

CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 35V, 6.8uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R3685040J00 VISHAY

获取价格

CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 40V, 6.8uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R3685040K00 VISHAY

获取价格

CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 40V, 6.8uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED