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R3708FC42V

更新时间： 2024-09-15 20:41:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 542K
描述
Assymetric SCR, 7364A I(T)RMS, 6275000mA I(T), 4200V V(DRM), 2700V V(RRM), 1 Element, 101A322, 3 PIN

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R3708FC42V 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N标称电路换相断开时间：250 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：600 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：1000 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X3
最大漏电流：150 mA通态非重复峰值电流：50000 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：6275000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：7364 A
断态重复峰值电压：4200 V重复峰值反向电压：2700 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
触发设备类型：ASSYMETRIC SCRBase Number Matches：1

R3708FC42V 数据手册

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Date:- 17 Oct, 2007  
Data Sheet Issue:- 4  
WESTCODE  
An IXYS Company  
Distributed Gate Asymmetric Thyristor  
Type R3708FC40# to R3708FC45#  
(Old Type Number: R1386CH40-45)  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
LIMITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
4000-4500  
4000-4500  
2500-3000  
2600-3100  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
3708  
A
A
2516  
1498  
A
7364  
A
6275  
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
Single Shot  
50  
A
ITSM2  
55  
A
I2t  
12.50×106  
15.13×106  
1000  
A2s  
A2s  
I2t  
Repetitive (50Hz, 60s)  
Continuous (50Hz)  
500  
(di/dt)cr Critical rate of rise of on-state current (note 6)  
A/µs  
250  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
Peak reverse gate voltage  
Mean forward gate power  
Peak forward gate power  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
5
V
4
W
W
°C  
°C  
50  
Tj op  
-40 to +125  
-40 to +150  
Tstg  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr≤0.5µs, Tcase=125°C.  
Data Sheet. Types R3708FC40# to R3708FC45# Issue 4  
Page 1 of 12  
October, 2007  
1234567...12

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与R3708FC42V相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R3708FC42W IXYS

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 		Assymetric SCR, 7364A I(T)RMS, 6275000mA I(T), 4200V V(DRM), 2700V V(RRM), 1 Element, 101A
R3708FC42X IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 7364 A, 4200 V, ASSYMETRIC SCR, 101A322, 3 PIN
R3708FC44V IXYS

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 		Assymetric SCR, 7364A I(T)RMS, 6275000mA I(T), 4400V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A
R3708FC44W IXYS

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 		Assymetric SCR, 7364A I(T)RMS, 6275000mA I(T), 4400V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A
R3708FC44X IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 7364 A, 4400 V, ASSYMETRIC SCR, 101A322, 3 PIN
R3708FC45V IXYS

获取价格

 		Assymetric SCR, 7364A I(T)RMS, 6275000mA I(T), 4500V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element, 101A
R3708FC45W IXYS

获取价格

 		Assymetric SCR, 7364A I(T)RMS, 6275000mA I(T), 4500V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element, 101A
R3708FC45X IXYS

获取价格

 		Assymetric SCR, 7364A I(T)RMS, 6275000mA I(T), 4500V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element, 101A
R371/NC/A/2 ETC

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 		VOLLPIPETTE GLASKLASSE A 1ML 2PK
R371/NC/B/2 ETC

获取价格

 		VOLLPIPETTE GLASKLASSE A 2ML 2PK

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