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R3540PF

更新时间: 2024-11-14 22:24:47
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管软恢复能力电源软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 175K
描述
Silicon Power Rectifier

R3540PF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-21
包装说明:O-MUPF-P1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.73
Is Samacsys:N其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
应用:SOFT RECOVERY POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JEDEC-95代码:DO-208AAJESD-30 代码:O-MUPF-P1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:400 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:35 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:PRESS FIT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向电流:10 µA最大反向恢复时间:5 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

R3540PF 数据手册

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Silicon Controlled Rectifier, 7060A I(T)RMS, 6038000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1
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