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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-21 |
| 包装说明： | PRESSFIT-1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT | 应用： | HIGH VOLTAGE POWER |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-21 | JESD-30 代码： | O-MUPF-P1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 700 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 50 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | PRESS FIT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 最大反向电流： | 40 µA | 最大反向恢复时间： | 5 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| R3540PF | MICROSEMI |
功能相似  |
Silicon Power Rectifier |
|
| R3520PF | MICROSEMI |
功能相似 |
Silicon Power Rectifier |
|
| NTE5827 | NTE |
功能相似 |
Silicon Power Rectifier Diode, 50 Amp |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R5040PFE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 400V V(RRM), Silicon, DO-21, PRESSFIT-1 |
|
| R504100 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| R504100 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 1KV 300A 2-Pin DO-9 |
|
| R504100TS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| R504100TSE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| R504120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| R504120 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 1.2KV 300A 2-Pin DO-9 |
|
| R504120E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| R504120TS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| R504140 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
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