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R504160TSE3

更新时间: 2024-11-16 06:23:19
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美高森美 - MICROSEMI 软恢复二极管软恢复能力电源
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2页 141K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN

R504160TSE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:DO-9, 1 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
Is Samacsys:N应用:SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-205ABJESD-30 代码:O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流:5500 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:300 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压:1600 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

R504160TSE3 数据手册

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