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R505120

更新时间: 2024-11-15 21:00:11
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美高森美 - MICROSEMI 软恢复二极管软恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
3页 107K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 1200V V(RRM), Silicon,

R505120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-H1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:SOFT RECOVERY POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:O-MUPM-H1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:5500 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:300 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向电流:250 µA表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

R505120 数据手册

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