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R3559TC16N

更新时间： 2024-11-15 18:38:27
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 338K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 7060A I(T)RMS, 6038000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, 101A325, 3 PIN

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R3559TC16N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68标称电路换相断开时间：100 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：600 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：1000 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X3
最大漏电流：300 mA通态非重复峰值电流：38900 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：6038000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：7060 A断态重复峰值电压：1600 V
重复峰值反向电压：1600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

R3559TC16N 数据手册

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Date:- 26 Jun, 2001  
Data Sheet Issue:- 1  
WESTCODE  
Provisional Data  
Distributed Gate Thyristor  
Types R3559TC16x to R3559TC20x  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
(Note 1)  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage  
Non-repetitive peak off-state voltage  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
1600-2000  
V
V
V
V
1600-2000  
1600-2000  
1700-2100  
MAXIMUM  
LIMITS  
3559  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C (note 4)  
A
A
A
A
A
2421  
1447  
7060  
6038  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM (note 5)  
38.9  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
W
W
V
≤
42.7  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM 10V (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM (note 5)  
7.57×106  
9.12×106  
500  
I2t  
≤
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM 10V (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive) (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive) (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
Mean forward gate power  
Peak forward gate power  
diT/dt  
1000  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
5
4
50  
0.25  
Non-trigger gate voltage (Note 7)  
THS  
Tstg  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
≤
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr 0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Types R3559TC16x to R3559TC20x Issue 2  
Page 1 of 12  
June, 2001  
1234567...12

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与R3559TC16N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R3559TC16R LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
R3559TC16T LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier
R3559TC18L LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 7060A I(T)RMS, 6038000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1
R3559TC18N LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 7060A I(T)RMS, 6038000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1
R3559TC20K LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 7060A I(T)RMS, 6038000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1
R3559TC20L LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 7060 A, 2000 V, SCR, 101A325, 3 PIN
R3559TC20M LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 7060 A, 2000 V, SCR, 101A325, 3 PIN
R3559TC20N LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 7060A I(T)RMS, 6038000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1
R3559TC20R LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
R3559TC20T LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,

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