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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 标称电路换相断开时间： | 30 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 100 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 300 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 1998.61 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 150000 µA | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R355CH02EJ0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1620000mA I(T), 200V V(DRM) |
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| R355CH02EJO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1998.61A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| R355CH02EK0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),1.62KA I(T),TO-200A |
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| R355CH02EKO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1998.61A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| R355CH02EL0 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 1620000mA I(T), 200V V(DRM), |
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| R355CH02FH0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1620000mA I(T), 200V V(DRM) |
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| R355CH02FJ | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2600 A, 200 V, SCR |
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| R355CH02FK0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),1.62KA I(T),TO-200A |
|
| R355CH02FKO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1998.61 A, 200 V, SCR |
|
| R355CH02FL0 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1620000mA I(T), 200V V(DRM), |
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