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R2619ZC20K

更新时间： 2024-11-01 15:49:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 629K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 4395000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element,

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R2619ZC20K 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.64标称电路换相断开时间：60 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：300 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：1000 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X4
最大漏电流：300 mA通态非重复峰值电流：37200 A
元件数量：1端子数量：4
最大通态电流：4395000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：5227 A
断态重复峰值电压：2000 V重复峰值反向电压：2000 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

R2619ZC20K 数据手册

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Date:- 4 Mar, 2003  
Data Sheet Issue:- 3  
Distributed Gate Thyristor  
Type R2619ZC18# to R2619ZC25#  
(Old Type Number: R600CH18-21)  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1800-2500  
V
V
V
V
1800-2500  
1800-2100  
1900-2200  
MAXIMUM  
LIMITS  
2619  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
A
A
A
A
A
1792  
1037  
5227  
4395  
33.8  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
ITSM2  
37.2  
I2t  
5.71×106  
6.92×106  
1000  
I2t  
(di/dt)cr  
1500  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
5
5
30  
Mean forward gate power  
Peak forward gate power  
W
W
Tj op  
Tstg  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr≤0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Type R2619ZC18# to R2619ZC25# Issue 3  
Page 1 of 12  
March, 2003  
1234567...12

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与R2619ZC20K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R2619ZC20L IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 4395000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1
R2619ZC20L LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2619ZC21J IXYS

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 		暂无描述
R2619ZC21K IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 4395000mA I(T), 2100V V(DRM), 2100V V(RRM), 1
R2619ZC21K LITTELFUSE

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R2619ZC21L IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 4395000mA I(T), 2100V V(DRM), 2100V V(RRM), 1
R2619ZC24J IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element
R2619ZC24K IXYS

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