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R2619ZC21K

更新时间： 2024-09-16 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
13页 1030K
描述
Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4.5kV，平均电流超过5kA，额定tq最低为10μs。 独特的分布式门极设计和寿命控制功能使这些器件既具有

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R2619ZC21K 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66标称电路换相断开时间：60 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us
最大直流栅极触发电流：300 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：1000 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X4
最大漏电流：300 mA通态非重复峰值电流：37200 A
元件数量：1端子数量：4
最大通态电流：4395000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：5227 A断态重复峰值电压：2100 V
重复峰值反向电压：2100 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

R2619ZC21K 数据手册

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Date:- 10th Jan, 2019  
Data Sheet Issue:- 4  
Distributed Gate Thyristor  
Type R2619Z#18# to R2619Z#25#  
(Old Type Number: R600CH18-21)  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1800-2500  
V
V
V
V
1800-2500  
1800-2100  
1900-2200  
MAXIMUM  
LIMITS  
2619  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm£10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm£10V, (note 5)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
A
A
1792  
1037  
A
5227  
A
4395  
A
33.8  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
ITSM2  
I2t  
37.2  
5.71×106  
6.92×106  
1000  
I2t  
(di/dt)cr  
1500  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
5
Mean forward gate power  
5
W
Peak forward gate power  
30  
W
Tj op  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr£0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Type R2619Z#18# to R2619Z#25# Issue 4  
Page 1 of 12  
January 2019  
1234567...13

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与R2619ZC21K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R2619ZC21L IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 4395000mA I(T), 2100V V(DRM), 2100V V(RRM), 1
R2619ZC24J IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element
R2619ZC24K IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element
R2619ZC25J IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element,
R2619ZC25J LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2619ZC25K IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element,
R2619ZC25L IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5227A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element,
R2619ZD18J LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
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R2619ZD20J LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,

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