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R2475ZC20N

更新时间： 2024-11-26 19:11:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
13页 1276K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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R2475ZC20N 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Base Number Matches：1

R2475ZC20N 数据手册

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Date:- 13 May, 2003  
Data Sheet Issue:- 1  
Distributed Gate Thyristor  
Type R2475ZC20# to R2475ZC28#  
(Old Type Number: R500CH28)  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
2000-2800  
V
V
V
V
2000-2800  
2000-2800  
2100-2900  
MAXIMUM  
LIMITS  
2475  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AVM)  
IT(AVM)  
IT(AVM)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm£10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm£10V, (note 5)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
A
A
1643  
949  
A
4978  
A
4100  
A
31.0  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
ITSM2  
I2t  
34.1  
4.81×106  
5.81×106  
1000  
I2t  
(di/dt)cr  
1500  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
5
Mean forward gate power  
5
W
Peak forward gate power  
30  
W
Tj op  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr£0.5µs, Tcase=125°C.  
Data Sheet. Type R2475ZC20# to R2475ZC28# Issue 1  
Page 1 of 12  
June, 2019  
1234567...13

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与R2475ZC20N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R2475ZC22N LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
R2475ZC22N IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4978A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element
R2475ZC24N LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
R2475ZC24N IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 4978A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element
R2475ZC26N LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
R2475ZC28M LITTELFUSE

获取价格

 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2475ZC28N IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4978A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element,
R2475ZD28M LITTELFUSE

获取价格

 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2475ZD28N LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4

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