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R2475ZC26N

更新时间： 2024-11-26 19:11:55
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力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
13页 1276K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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R2475ZC26N 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Base Number Matches：1

R2475ZC26N 数据手册

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Date:- 13 May, 2003  
Data Sheet Issue:- 1  
Distributed Gate Thyristor  
Type R2475ZC20# to R2475ZC28#  
(Old Type Number: R500CH28)  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
2000-2800  
V
V
V
V
2000-2800  
2000-2800  
2100-2900  
MAXIMUM  
LIMITS  
2475  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AVM)  
IT(AVM)  
IT(AVM)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm£10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm£10V, (note 5)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
A
A
1643  
949  
A
4978  
A
4100  
A
31.0  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
ITSM2  
I2t  
34.1  
4.81×106  
5.81×106  
1000  
I2t  
(di/dt)cr  
1500  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
5
Mean forward gate power  
5
W
Peak forward gate power  
30  
W
Tj op  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr£0.5µs, Tcase=125°C.  
Data Sheet. Type R2475ZC20# to R2475ZC28# Issue 1  
Page 1 of 12  
June, 2019  
1234567...13

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与R2475ZC26N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R2475ZC28M LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2475ZC28N IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4978A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element,
R2475ZD28M LITTELFUSE

获取价格

 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2475ZD28N LITTELFUSE

获取价格

 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2475ZD28R LITTELFUSE

获取价格

 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R2476003J00 VISHAY

获取价格

 		CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 3V, 47uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R2480G2 ETC

获取价格
R2486 HAMAMATSU

获取价格

 		POSITION-SENSITIVE PHOTOMULTIPLIER TUBES WITH CROSSED WIRE ANODES
R2486-01 HAMAMATSU

获取价格

 		POSITION-SENSITIVE PHOTOMULTIPLIER TUBES WITH CROSSED WIRE ANODES
R2486-02 HAMAMATSU

获取价格

 		POSITION-SENSITIVE PHOTOMULTIPLIER TUBES WITH CROSSED WIRE ANODES

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