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R2475ZC24N

更新时间： 2024-11-26 21:00:23

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IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
12页	637K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4978A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element

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R2475ZC24N 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	4978 A	断态重复峰值电压：	2400 V
重复峰值反向电压：	2400 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

R2475ZC24N 数据手册

Date:- 9 May, 2003

Data Sheet Issue:- 1

Distributed Gate Thyristor

Type R2475ZC20# to R2475ZC28#

(Old Type Number: R500CH28)

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

2000-2800

2100-2900

MAXIMUM

LIMITS

2475

OTHER RATINGS

UNITS

I_T(AVM)

I_T(RMS)

I_T(d.c.)

I_TSM

Maximum average on-state current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 3)

Nominal RMS on-state current, T_sink=25°C, (note 2)

D.C. on-state current, T_sink=25°C, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)

Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)

Peak reverse gate voltage

1643

949

4978

4100

31.0

A²s

A/µs

I_TSM2

34.1

I²t

4.81×10⁶

5.81×10⁶

1000

I²t

(di/dt)_cr

1500

V_RGM

P_G(AV)

P_GM

Mean forward gate power

Peak forward gate power

T_{j op}

T_stg

Operating temperature range

Storage temperature range

-40 to +125

-40 to +150

°C

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 125°C T_jinitial.

6) V_D=67% V_DRM, I_FG=2A, t_r≤0.5µs, T_case=125°C.

Data Sheet. Type R2475ZC20# to R2475ZC28# Issue 1

Page 1 of 12

May, 2003

12 3 4 5 6 7...12

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与R2475ZC24N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
R2475ZC26N	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
R2475ZC28M	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。这些器件的阻断电压最高可达4
R2475ZC28N	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4978A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element,
R2475ZD28M	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。这些器件的阻断电压最高可达4
R2475ZD28N	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。这些器件的阻断电压最高可达4
R2475ZD28R	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。这些器件的阻断电压最高可达4
R2476003J00	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 3V, 47uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
R2480G2	ETC	获取价格
R2486	HAMAMATSU	获取价格	POSITION-SENSITIVE PHOTOMULTIPLIER TUBES WITH CROSSED WIRE ANODES
R2486-01	HAMAMATSU	获取价格	POSITION-SENSITIVE PHOTOMULTIPLIER TUBES WITH CROSSED WIRE ANODES

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