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R1WV3216RBG-8SR

更新时间： 2024-09-29 03:37:51
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 122K
描述
32Mb superSRAM (2M wordx16bit)

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R1WV3216RBG-8SR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：BGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.54
最长访问时间：85 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA48,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

R1WV3216RBG-8SR 数据手册

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R1WV3216R Series  
REJ03C0215-0100Z  
Rev.1.00  
32Mb superSRAM (2M wordx16bit)  
2004.4.13  
Description  
The R1WV3216R Series is a family of low voltage 32-Mbit static RAMs organized as 2097152-words by 16-bit,  
fabricated by Renesas's high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies.  
The R1WV3216R Series is suitable for memory applications where a simple interfacing , battery operating and  
battery backup are the important design objectives.  
The R1WV3216R Series is made by stacked-micro-package technology and two chips of 16Mbit superSRAMs  
are assembled in one package.  
The R1WV3216R Series is packaged in a 52pin micro thin small outline mount device[µTSOP / 10.79mm x  
10.49mm with the pin-pitch of 0.4mm] or a 48balls fine pitch ball grid array [f-BGA / 7.5mmx8.5mm with the ball-pitch  
of 0.75mm and 6x8 array] . It gives the best solution for a compaction of mounting area as well as flexibility of wiring  
pattern of printed circuit boards.  
Features  
• Single 2.7-3.6V power supply  
• Small stand-by current:4µA (3.0V, typ.)  
• Data retention supply voltage =2.0V  
• No clocks, No refresh  
• All inputs and outputs are TTL compatible.  
• Easy memory expansion by CS1#, CS2, LB# and UB#  
• Common Data I/O  
• Three-state outputs: OR-tie capability  
• OE# prevents data contention on the I/O bus  
• Process technology: 0.15um CMOS  
Rev.1.00 2004.4.13  
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