QSB320F

更新时间： 2024-09-18 22:25:11

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
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3页	52K
描述
SURFACE MOUNT SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR

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QSB320F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, LCC-2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.40.70.80	风险等级：	5.87
其他特性：	HIGH SENSITIVITY, DAY LIGHT FILTER	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V
配置：	SINGLE	最大暗电源：	200 nA
红外线范围：	YES	JESD-609代码：	e0
标称光电流：	0.016 mA	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	最大通态电流：	0.015 A
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-55 °C
光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR	峰值波长：	880 nm
最大功率耗散：	0.165 W	形状：	ROUND
尺寸：	2.4 mm	子类别：	Photo Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

QSB320F 数据手册

QSB320F

SURFACE MOUNT SILICON

INFRARED PHOTOTRANSISTOR

PACKAGE DIMENSIONS

0.118 (3.0)

0.102 (2.6)

0.083 (2.1)

0.067 (1.7)

0.091 (2.3)

0.083 (2.1)

0.041 (0.1)

0.035 (0.9)

0.028 (0.7)

0.094 (2.4)

0.134 (3.4)

0.118 (3.0)

FEATURES

SCHEMATIC

0.043 (1.1)

0.020 (0.5)

• Surface Mount PLCC-2 Package

• Wide Reception Angle, 120°

• High Sensitivity

COLLECTOR

0.024 (0.6)

0.007 (.18)

0.016 (0.4)

0.005 (.12)

• Phototransistor Output

• Matched Emitter: QEB421

• Daylight Filter

NOTES:

EMITTER

1. Dimensions for all drawings are in inches (millimeters).

2. Tolerance of .010 (.25) on all non nominal dimensions

unless otherwise specified.

NOTES

(T = 25°C unless otherwise specified)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

1. Derate power dissipation linearly

2.2 mW/°C above 25°C.

2. RMA flux is recommended.

3. Methanol or isopropyl alcohols

are recommended as cleaning

agents.

Parameter

Operating Temperature

Storage Temperature

Soldering Temperature (Flow)^(2,3)

Collector Emitter Voltage

Emitter Collector Voltage

Collector Current

Symbol

T_OPR

T_STG

T_SOL-F

V_CE

Rating

Unit

°C

-55 to +100

260 for 10 sec

4. Dꢀ= 940 nm.

V_EC

I_C

165

Power Dissipation⁽¹⁾

P_D

(TA =25°C)

ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL

D_PS

MIN

—

700

—

TYP

880

—

MAX

—

UNITS

Deg.

Peak Sensitivity Wavelength

Wavelength Sensitivity Range

Reception Angle

D_SR

1000

—

120

—

Collector Emitter Dark Current

Collector Emitter Breakdown

Emitter Collector Breakdown

On-State Collector Current

Saturation Voltage

V_CE= 25 V, E_e= 0

I_C= 1 mA

I_D

200

—

BV_CEO

BV_ECO

I_{C (ON)}

V_{CE (SAT)}

t_r

—

I_E= 100 µA

—

E_e= 0.1 mW/cm²⁽⁴⁾, V_CE= 5 V

E_e= 0.5 mW/cm²⁽⁴⁾, I_C= 0.05 mA

V_CC= 5 V, R_L= 100 1

I_C= 1 mA

—

µA

—

0.3

—

Rise Time

µs

Fall Time

t_f

—

µs

 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

DS300387 2/26/01

1 OF 3

www.fairchildsemi.com

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QSB320FTR	FAIRCHILD	获取价格	Photo Transistor, 880nm, PLASTIC, LCC-2
QSB320TR	FAIRCHILD	获取价格	SURFACE MOUNT SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSB34	FAIRCHILD	获取价格	SURFACE MOUNT SILICON PIN PHOTODIODE
QSB34CGR	FAIRCHILD	获取价格	Surface Mount Silicon Pin Photodiode
QSB34CGR	ONSEMI	获取价格	表面贴装硅红外线PIN光电二极管
QSB34CZR	FAIRCHILD	获取价格	Surface Mount Silicon Pin Photodiode
QSB34CZR	ONSEMI	获取价格	表面贴装硅红外线PIN光电二极管
QSB34GR	FAIRCHILD	获取价格	SURFACE MOUNT SILICON PIN PHOTODIODE
QSB34GR	ONSEMI	获取价格	表面贴装硅红外线PIN光电二极管
QSB34GR_07	FAIRCHILD	获取价格	Surface Mount Silicon Pin Photodiode

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