QSB320TR

更新时间： 2024-02-16 09:39:36

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体光电晶体管光电晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	53K
描述
SURFACE MOUNT SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

QSB320TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, LCC-2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.40.70.80	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SENSITIVITY	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V
配置：	SINGLE	最大暗电源：	200 nA
红外线范围：	YES	JESD-609代码：	e3
标称光电流：	0.016 mA	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	最大通态电流：	0.015 A
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-55 °C
光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR	峰值波长：	880 nm
最大功率耗散：	0.165 W	形状：	ROUND
尺寸：	2.4 mm	子类别：	Photo Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

QSB320TR 数据手册

QSB320

SURFACE MOUNT SILICON

INFRARED PHOTOTRANSISTOR

PACKAGE DIMENSIONS

0.118 (3.0)

0.102 (2.6)

0.083 (2.1)

0.067 (1.7)

0.091 (2.3)

0.083 (2.1)

0.041 (0.1)

0.035 (0.9)

0.028 (0.7)

0.094 (2.4)

0.134 (3.4)

0.118 (3.0)

FEATURES

SCHEMATIC

0.043 (1.1)

0.020 (0.5)

• Surface Mount PLCC-2 Package

• Wide Reception Angle, 120°

• High Sensitivity

COLLECTOR

0.024 (0.6)

0.007 (.18)

0.016 (0.4)

0.005 (.12)

• Phototransistor Output

NOTES:

• Matched Emitter: QEB421

EMITTER

1. Dimensions for all drawings are in inches (millimeters).

2. Tolerance of .010 (.25) on all non nominal dimensions

unless otherwise specified.

NOTES

(T = 25°C unless otherwise specified)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

1. Derate power dissipation linearly

2.2 mW/°C above 25°C.

2. RMA flux is recommended.

3. Methanol or isopropyl alcohols

are recommended as cleaning

agents.

Parameter

Operating Temperature

Storage Temperature

Soldering Temperature (Flow)^(2,3)

Collector Emitter Voltage

Emitter Collector Voltage

Collector Current

Symbol

T_OPR

T_STG

T_SOL-F

V_CE

Rating

Unit

°C

-55 to +100

260 for 10 sec

4. Dꢀ= 940 nm.

V_EC

I_C

165

Power Dissipation⁽¹⁾

P_D

(T^A=25°C)

ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL

D_PS

MIN

—

400

—

TYP

880

—

MAX

—

UNITS

Deg.

Peak Sensitivity Wavelength

Wavelength Sensitivity Range

Reception Angle

D_SR

1000

—

120

—

Collector Emitter Dark Current

Collector Emitter Breakdown

Emitter Collector Breakdown

On-State Collector Current

Saturation Voltage

V_CE= 25 V, E_e= 0

I_C= 1 mA

I_D

200

—

BV_CEO

BV_ECO

I_{C (ON)}

V_{CE (SAT)}

t_r

—

I_E= 100 µA

—

E_e= 0.1 mW/cm²⁽⁴⁾, V_CE= 5 V

E_e= 0.5 mW/cm²⁽⁴⁾, I_C= 0.05 mA

V_CC= 5 V, R_L= 100 1

I_C= 1 mA

—

µA

—

0.3

—

Rise Time

µs

Fall Time

t_f

—

µs

 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

DS300386 2/26/01

1 OF 3

www.fairchildsemi.com

12 3

下载PDF

与QSB320TR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
QSB34	FAIRCHILD	SURFACE MOUNT SILICON PIN PHOTODIODE	获取价格
QSB34CGR	FAIRCHILD	Surface Mount Silicon Pin Photodiode	获取价格
QSB34CGR	ONSEMI	表面贴装硅红外线PIN光电二极管	获取价格
QSB34CZR	FAIRCHILD	Surface Mount Silicon Pin Photodiode	获取价格
QSB34CZR	ONSEMI	表面贴装硅红外线PIN光电二极管	获取价格
QSB34GR	FAIRCHILD	SURFACE MOUNT SILICON PIN PHOTODIODE	获取价格

与QSB320TR相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

15
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

15
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

13
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

QSB320TR

QSB320TR 技术参数

QSB320TR 数据手册

与QSB320TR相关器件

与QSB320TR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

QSB320TR

QSB320TR 技术参数

QSB320TR 数据手册

与QSB320TR相关器件

与QSB320TR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？