QM75TF-HB

更新时间： 2024-09-17 22:18:51

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网高功率电源
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5页	89K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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QM75TF-HB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X19
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	75 A
配置：	COMPLEX	最小直流电流增益 (hFE)：	750
最大降落时间（tf）：	3000 ns	JESD-30 代码：	R-PUFM-X19
元件数量：	6	端子数量：	19
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

QM75TF-HB 数据手册

MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES

QM75TF-HB

HIGH POWER SWITCHING USE

INSULATED TYPE

QM75TF-HB

• IC

Collector current .......................... 75A

• VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V

• hFE DC current gain.............................750

• Insulated Type

• UL Recognized

Yellow Card No. E80276 (N)

File No. E80271

APPLICATION

Inverters, Servo drives, DC motor controllers, NC equipment, Welders

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

102 0.3

4–φ5.5

6 14 6 14

6 17

7–M4

BuP

EuP

BvP

EvP

BwP

EwP

BuP EuP BvP EvP BwP EwP

BuN EuN

EvN BwNEwN

BvN

EvN

BwN

EwN

BuN

EuN

80 ^0.25

Tab#110, t=0.5

LABEL

Note: All Transistor Units are 3-Stage Darlingtons.

Feb.1999

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QM75TX-H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM75TX-HB	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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