QM20KD-HB

更新时间： 2024-09-17 22:07:43

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
6页	79K
描述
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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QM20KD-HB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-D16
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	20 A
配置：	COMPLEX	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JESD-30 代码：	R-PUFM-D16	元件数量：	6
端子数量：	16	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QM20KD-HB 数据手册

MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES

QM20KD-HB

MEDIUM POWER SWITCHING USE

INSULATED TYPE

QM20KD-HB

• IC

Collector current .......................... 20A

• VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V

• hFE DC current gain.............................250

• Insulated Type

• UL Recognized

Yellow Card No. E80276 (N)

File No. E80271

APPLICATION

Inverters, Servo drives, DC motor controllers, NC equipment, Welders.

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

2–φ5.5

11 11 11 12.5 10.5 10.5 18.5

Tab#250,

t=0.8

BuP BvP BwP

BuN BvN BwN

Tab#110,

t=0.5

110

BwP

BuP

BvP

BuN

BvN

BwN

LABEL

Feb.1999

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QM20TD-H	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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