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QM20TD-H

更新时间: 2024-09-17 22:08:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 79K
描述
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

QM20TD-H 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):20 A
配置:COMPLEX最小直流电流增益 (hFE):75
最大降落时间(tf):2000 nsJESD-30 代码:R-PUFM-D17
元件数量:6端子数量:17
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:2 V
Base Number Matches:1

QM20TD-H 数据手册

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MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
QM20TD-H  
MEDIUM POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
QM20TD-H  
IC  
Collector current .......................... 20A  
VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V  
hFE DC current gain...............................75  
Insulated Type  
UL Recognized  
Yellow Card No. E80276 (N)  
File No. E80271  
APPLICATION  
Air conditioner, Small to medium size inverters, CVCF  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
15  
(30.5)  
7
15  
7
7
(23.5)  
25.5  
11 25.5  
φ5.5  
Fig. 1  
4
Fig. 2  
2
8.0  
6.35  
2.8  
φ1.2  
φ1.65  
76  
93  
P
106  
BuP  
EuP  
u
BvP  
EvP  
v
BwP  
EwP  
w
Tab#250, t=0.8(Fig. 2)  
Tab#110, t=0.5(Fig. 1)  
BvN  
EvN  
BwN  
EwN  
BuN  
EuN  
LABEL  
N
Note: All Transistor Units are Darlingtons.  
Feb.1999  

QM20TD-H 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KED24502 POWEREX

功能相似

Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CEO, 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
6DI20C-050 FUJI

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POWER TRANSISTOR MODULE

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
QM20TD-HB MITSUBISHI

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QM20TG9B ETC

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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 20A I(C)
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