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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| QM100DY-HBK | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM100DY-HK | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM100E2Y2HK | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 100A I(C) |
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| QM100E2Y-HK | MITSUBISHI |
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Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, MODULE |
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| QM100E3Y2HK | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 100A I(C) |
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| QM100E3Y-2HK | MITSUBISHI |
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Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 11 Pin, MODUL |
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| QM100E3Y-HK | MITSUBISHI |
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Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, MODULE |
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| QM100HA-H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM100HC-M | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
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| QM100HY-2 | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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