生命周期: | Active | 包装说明: | DIP, |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.77 |
最长访问时间: | 200 ns | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
长度: | 32.07 mm | 内存密度: | 32768 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4KX8 | |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | NMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
QD2732A-20 | INTEL |
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UVPROM, 4KX8, 200ns, NMOS, CDIP24, CERDIP-24 | |
QD2732A-3 | INTEL |
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UVPROM, 4KX8, 300ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24 | |
QD2732A-30 | INTEL |
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UVPROM, 4KX8, 300ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24 | |
QD2732A-4 | INTEL |
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UVPROM, 4KX8, 450ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24 | |
QD2732A45 | INTEL |
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UVPROM, 4KX8, 450ns, MOS, CDIP24 | |
QD27512 | INTEL |
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UVPROM, 64KX8, 250ns, MOS, CDIP28, | |
QD27512-170V05 | INTEL |
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暂无描述 | |
QD27512-2 | INTEL |
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UVPROM, 64KX8, 200ns, MOS, CDIP28, | |
QD27512-20 | INTEL |
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UVPROM, 64KX8, 200ns, MOS, CDIP28, | |
QD27512-200V05 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 200ns, MOS, CDIP28, |