是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | WDIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.44 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 300 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.084 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 21 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | EPROMs |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | NMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
QD2764-4 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 450ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | |
QD2764-45 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 450ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | |
QD2764A | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, CERDIP-28 | |
QD2764A-1 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 180ns, NMOS, CDIP28, CERDIP-28 | |
QD2764A-2 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 200ns, NMOS, CDIP28, CERDIP-28 | |
QD2764A-25 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, CERDIP-28 | |
QD2764A-3 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 300ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | |
QD2764A-30 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 300ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | |
QD2764A-4 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 450ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | |
QD2764A-45 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 450ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 |