是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 200 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 28 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
电源: | 5 V | 子类别: | EPROMs |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | MOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
QD27512-20 | INTEL |
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UVPROM, 64KX8, 200ns, MOS, CDIP28, | |
QD27512-200V05 | INTEL |
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UVPROM, 64KX8, 200ns, MOS, CDIP28, | |
QD27512-25 | INTEL |
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UVPROM, 64KX8, 250ns, MOS, CDIP28, | |
QD27512-3 | INTEL |
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UVPROM, 64KX8, 300ns, MOS, CDIP28, | |
QD27512-30 | INTEL |
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UVPROM, 64KX8, 300ns, MOS, CDIP28, | |
QD2764 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | |
QD2764-2 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 200ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | |
QD2764-25 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | |
QD2764-3 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 300ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | |
QD2764-30 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 300ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 |