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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WDIP, DIP24,.6 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.5 |
| 最长访问时间： | 450 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 32.004 mm | 内存密度： | 32768 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 21 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | EPROMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| QD2732A45 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 4KX8, 450ns, MOS, CDIP24 |
|
| QD27512 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 250ns, MOS, CDIP28, |
|
| QD27512-170V05 | INTEL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| QD27512-2 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 200ns, MOS, CDIP28, |
|
| QD27512-20 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 200ns, MOS, CDIP28, |
|
| QD27512-200V05 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 200ns, MOS, CDIP28, |
|
| QD27512-25 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 250ns, MOS, CDIP28, |
|
| QD27512-3 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 300ns, MOS, CDIP28, |
|
| QD27512-30 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 300ns, MOS, CDIP28, |
|
| QD2764 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 |
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