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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> QCA50AA100
QCA50AA100 PDF预览

QCA50AA100

更新时间： 2024-02-05 17:16:40
品牌 Logo 应用领域
SANREX 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 798K
描述
TRANSISTOR MODULE

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QCA50AA100 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.77
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：50 A
最小直流电流增益 (hFE)：75最大降落时间（tf）：3000 ns
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大功率耗散 (Abs)：400 W最大上升时间（tr）：2500 ns
子类别：BIP General Purpose PowerVCEsat-Max：2.5 V
Base Number Matches：1

QCA50AA100 数据手册

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TRANSISTOR MODULE  
QCA50AA100  
UL;E76102 M  
QCA50AA100 is a dual Darlington power transistor module which has series- connected  
high speed, high power Darlington transistors. Each transistor has a reverse paralleled fast  
recovery diode. The mounting base of the module is electrically isolated from  
semiconductor elements for simple heatsink construction,  
IC 50A, VCEX 1000V  
Low saturation voltage for higher efficiency.  
FE  
High DC current gain h  
Isolated mounting base  
Applications  
Motor Control VVVF , AC/DC Servo, UPS,  
Switching Power Supply, Ultrasonic Application  
Unit  
A
Maximum Ratings  
Tj 25  
Ratings  
Symbol  
Item  
Conditions  
Unit  
QCA50AA100  
VCBO  
VCEX  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
1000  
1000  
7
V
V
VBE  
2V  
V
50  
A
A
A
W
Reverse Collector Current  
Base Current  
50  
IC  
B
I
3
T
P
Total power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
400  
TC 25  
j
T
40  
40  
150  
125  
Tstg  
VISO  
A.C.1minute  
2500  
V
Mounting M6  
TerminaM5  
Recommended Value 2.5 3.9 25 40  
Recommended Value 1.5 2.5 15 25  
Typical Value  
4.7 48  
2.7 28  
210  
Mounting  
Torque  
N m  
f B  
Mass  
g
Electrical Characteristics  
Tj 25  
Ratings  
Symbol  
Item  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
1.0  
ICBO  
IEBO  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
mA  
mA  
V
CB  
V
1000V  
200  
EB  
V
7V  
CEX SUS  
V
Collector Emitter Sustaning Voltage  
1000  
75  
B
I
Ic 10A  
Ic 50A  
Ic 50A  
Ic 50A  
Ic 50A  
3A  
2.8V  
5V  
CE  
V
V
FE  
h
DC Current Gain  
100  
CE  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
On Time  
2.5  
3.5  
V
V
B
I
I
1A  
1A  
BE(sat)  
ton  
ts  
V
B
2.5  
Switching  
Storage Time  
Time  
Vcc 600V Ic 50A  
15.0  
3.0  
s
B1  
B2  
I
1A  
I
1A  
tf  
Fall Time  
ECO  
V
Collector-Emitter Reverse Voltage  
1.8  
V
Ic 50A  
Transistor part  
Diode part  
0.31  
1.2  
Thermal Impedance  
(junction to case)  
Rth(j-c)  
/W  
5
1234

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