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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> QCA75BA60
QCA75BA60 PDF预览

QCA75BA60

更新时间： 2024-02-05 18:45:34
品牌 Logo 应用领域
SANREX 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 106K
描述
TRANSISTOR MODULE

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QCA75BA60 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：75 A
最小直流电流增益 (hFE)：750最大降落时间（tf）：2000 ns
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大功率耗散 (Abs)：350 W最大上升时间（tr）：2000 ns
子类别：BIP General Purpose PowerVCEsat-Max：2 V
Base Number Matches：1

QCA75BA60 数据手册

 浏览型号QCA75BA60的Datasheet PDF文件第2页 
（Hi-β）  
TRANSISTOR MODULE  
QCA75BA60  
UL;E76102（M）  
QCA75BA60 is a dual Darlington power transistor module which has series-connected  
FE  
ULTRA HIGH h , high speed, high power Darlington transistors. Each transistor has a  
reverse paralleled fast recovery diode (trr：200ns). The mounting base of the module is  
electrically isolated from Semiconductor elements for simple heatsink construction,  
94max  
20 20  
27  
7
6.5  
12  
8
8
8
8
12  
7
6.5  
● IC＝75A, VCEX＝600V  
● Low saturation voltage for higher efficiency.  
●
C2E1  
E2  
C1  
FE  
FE  
ULTRA HIGH DC current gain h . h ≧750  
● Isolated mounting base  
●
3ｰM5  
80  
2ｰφ6.5�  
�
EBO  
V
10V for faster switching speed.  
110TAB  
（Applications）  
Motor Control（VVVF）, AC/DC Servo, UPS,  
Switching Power Supply, Ultrasonic Application  
B2  
E2  
C2E1  
E2  
C1  
E1  
B1  
Unit：A  
■Maximum Ratings  
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Item  
Conditions  
QCA75BA60  
VCBO  
VCEX  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
600  
600  
V
V
VBE＝－2V  
）pw≦1ms  
10  
V
A
（
75（150）  
75  
Reverse Collector Current  
Base Current  
A
－IC  
B
I
4.5  
A
T
P
Total power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
350  
W
℃
℃
V
TC＝25℃  
j
T
－40 to ＋150  
－40 to ＋125  
2500  
Tstg  
VISO  
A.C.1minute  
Mounting（M6） Recommended Value 2.5  
-
-
3.9（25  
2.5（15  
-
-
40）  
25）  
4.7（48）  
2.7（28）  
240  
Mounting  
Torque  
N･m  
㎏f･B  
Termna（l M5） Recommended Value 1.5  
Mass  
Typical Value  
g
■Electrical Characteristics  
Ratings  
Symbol  
Item  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
CBO  
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
CB  
CBO  
1.0  
mA  
mA  
V
＝V  
EBO  
I
EB  
V ＝V  
EBO  
300  
CEO（SUS）  
V
450  
600  
750  
Ic＝1A  
Collector Emitter Sustaning  
Voltage  
V
CEX（SUS）  
V
B2  
Ic＝15A，I ＝－5A  
FE  
h
D.C. Current Gain  
CE  
Ic＝75A，V ＝2.5V  
CE（sat）  
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
On Time  
B
2.5  
3.0  
2.0  
8.0  
2.0  
1.8  
V
V
Ic＝75A，I ＝100mA  
BE（sat）  
V
B
Ic＝75A，I ＝100mA  
ton  
ts  
Switching  
Storage Time  
Time  
Vcc＝300V，Ic＝75A  
I ＝150mA，I ＝－1.5A  
μs  
B1  
B2  
tf  
Fall Time  
Collector-Emitter Reverse Voltage  
Reverse Recovery time  
ECO  
V
V
Ic＝－75A  
trr  
BE  
200  
ns  
Vcc＝300V，－Ic＝75A，－di/dt＝75AμA，V ＝－5V  
transistor part  
Diode part  
0.35  
1.3  
Thermal Impedance  
(junction to case)  
Rth（j-c）  
℃/W  
SanRex  
®
50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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