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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> QCA75AA120
QCA75AA120 PDF预览

QCA75AA120

更新时间： 2024-02-21 13:34:10
品牌 Logo 应用领域
SANREX 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
TRANSISTOR MODULE

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QCA75AA120 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：75 A
最小直流电流增益 (hFE)：100最大降落时间（tf）：3000 ns
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大功率耗散 (Abs)：500 W最大上升时间（tr）：2500 ns
子类别：BIP General Purpose PowerVCEsat-Max：2.5 V
Base Number Matches：1

QCA75AA120 数据手册

 浏览型号QCA75AA120的Datasheet PDF文件第2页 
TRANSISTOR MODULE  
QCA75AA120  
UL;E76102（M）  
QCA75AA120 is a dual Darlington power transistor module which has series- connected  
high speed, high power Darlington transistors. Each transistor has a reverse paralleled fast  
recovery diode. The mounting base of the module is electrically isolated from  
semiconductor elements for simple heatsink construction,  
108  
93±0.3  
12  
● IC＝75A, VCEX＝1200V  
● Low saturation voltage for higher efficiency.  
2ｰφ6.5  
●
FE  
High DC current gain h  
C2 E1  
E 2  
C 1  
● Isolated mounting base  
23  
23  
3-M5  
（Applications）  
Motor Control（VVVF）, AC/DC Servo, UPS,  
Switching Power Supply, Ultrasonic Application  
8
15 8  
110TAB  
B2  
E2  
E2  
C1  
E1C2  
E1  
B1  
Unit：A  
■Maximum Ratings  
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Item  
Conditions  
QCA75AA120  
VCBO  
VCEX  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
1200  
V
V
1200  
VBE＝－2V  
TC＝25℃  
10  
V
75  
75  
A
Reverse Collector Current  
Base Current  
A
－IC  
B
I
4
A
T
P
Total power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
500  
W
℃
℃
V
j
T
－40 to ＋150  
－40 to ＋125  
2500  
Tstg  
VISO  
A.C.1minute  
Mounting（M6） Recommended Value 2.5  
-
-
3.9（25  
2.5（15  
-
40）  
25）  
4.7（48）  
2.7（28）  
250  
Mounting  
Torque  
N･m  
(㎏f･B)  
Termina（l M5） Recommended Value 1.5  
-
Mass  
Typical Value  
g
■Electrical Characteristics  
Ratings  
Symbol  
Item  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
ICBO  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Collector Emitter Sustaning Voltage  
DC Current Gain  
CB  
1.00  
300  
mA  
mA  
V
V
＝1200V  
IEBO  
EB  
V ＝10V  
CEX（SUS）  
V
B2  
1200  
75  
Ic＝15A，I ＝－3A  
FE  
h
CE  
Ic＝75A，V ＝5V  
VCE(sat)  
BE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
On Time  
B
3.00  
3.50  
2.50  
15.00  
3.00  
1.80  
0.25  
1.20  
V
V
Ic＝75A，I ＝1.5A  
B
V
Ic＝75A，I ＝1.5A  
ton  
ts  
Switching  
Storage Time  
Time  
Vcc＝600V，Ic＝75A  
I ＝1.5A，I ＝－1.5A  
μs  
B1  
B2  
tf  
Fall Time  
ECO  
V
Collector-Emitter Reverse Voltage  
V
－Ic＝75A  
Transistor part  
Diode part  
Thermal Impedance  
(junction to case)  
Rth(j-c)  
℃/W  
SanRex  
®
50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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