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Q68000-A8547

更新时间： 2024-02-01 06:20:21

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英飞凌 - INFINEON		二极管开关
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4页	104K
描述
Silicon Switching Diode Array

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Q68000-A8547 数据手册

Silicon Switching Diode Array

SMBD 2835

SMBD 2836

● For high-speed switching applications

● Common anode

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

SMBD 2835

SMBD 2836

sA3

sA2

Q68000-A8547

Q68000-A8436

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

SMBD 2835 SMBD 2836

Reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

200

Surge forward current, t = 1 µs

IFS

4.5

330

Total power dissipation, T

= 31 ˚C

tot

˚C

Junction temperature

150

Storage temperature range

stg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 500

≤ 360

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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