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Q68000-A8397

更新时间: 2024-01-11 21:09:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 169K
描述
PNP Silicon Switching Transistor

Q68000-A8397 数据手册

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PNP Silicon Switching Transistor  
SXT 3906  
High current gain: 0.1 mA to 100 mA  
Low collector-emitter saturation voltage  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
SXT 3906  
2A  
Q68000-A8397  
B
C
E
SOT-89  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
40  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CE0  
CB0  
EB0  
V
V
V
40  
5
IC  
200  
1
mA  
W
P
tot  
Total power dissipation, T  
S
= 100 ˚C  
Junction temperature  
Tj  
150  
˚C  
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
120  
50  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1

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