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Q67100-Q2062

更新时间： 2024-02-05 18:58:03
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英飞凌 - INFINEON /
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10页 87K
描述
1M x 32-Bit Dynamic RAM Module

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Q67100-Q2062 数据手册

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1M × 32-Bit Dynamic RAM Module  
HYM 321005S/GS-50/-60  
(Hyper Page Mode - EDO Version)  
Advanced Information  
• SIMM modules with 1 048 576 words by 32-bit organization  
for PC main memory applications  
• Fast access and cycle time  
50 ns access time  
84 ns cycle time (-50 version)  
60 ns access time  
104 ns cycle time (-60 version)  
• Hyper page mode- EDO capability with  
20 ns cycle time (-50 version)  
25 ns cycle time (-60 version)  
• Single + 5 V (± 10 %) supply  
• Low power dissipation  
max 2200 mW active (-50 version)  
max. 1980 mW active (-60 version)  
CMOS – 11 mW standby  
TTL  
– 22 mW standby  
• CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh, Hidden refresh  
• 2 decoupling capacitors mounted on substrate  
• All inputs, outputs and clock fully TTL compatible  
• 72 pin Single in-Line Memory Module  
• Utilizes two 1M × 16 -DRAMs in SOJ-42 packages  
• 1024 refresh cycles / 16 ms  
• Optimized for use in byte-write non-parity applications  
• Tin-Lead contact pad HYM 321005S  
• Gold-Lead contact pad HYM 321005GS  
• single sided module with 20.32 mm (800 mil) height  
Semiconductor Group  
1
9.96  
1234567...10

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